Tillverkare Produktnummer:
GT025N06AM6
Product Overview
Tillverkare:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
GT025N06AM6-DG
Beskrivning:
N60V,170A,RD<2.0M@10V,VTH1.2V~2.
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 170A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount TO-263-6
Inventarier:
13004201
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
GT025N06AM6 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Goford Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5058 pF @ 30 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
215W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263-6
Paket / Fodral
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
3141-GT025N06AM6TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0000
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
G900P15D5
MOSFET P-CH 150V 60A DFN5*6-8L
IQE022N06LM5CGSCATMA1
OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
IQE046N08LM5SCATMA1
OPTIMOS 5 POWER-TRANSISTOR 60V
