G1002
Tillverkare Produktnummer:

G1002

Product Overview

Tillverkare:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

G1002-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 100V 2A SOT-23
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 2A (Tc) 1.3W (Tc) Surface Mount SOT-23

Inventarier:

30000 Pcs Ny Original I Lager
12944834
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

G1002 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Goford Semiconductor
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
250mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
535 pF @ 50 V
FET-funktion
Standard
Effektförlust (max)
1.3W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-23
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
4822-G1002TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0000
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
infineon-technologies

AUIRFSL4010-306

MOSFET N-CH 100V 180A TO262

goford-semiconductor

G040P04T

MOSFET P-CH 40V 222A TO-220

goford-semiconductor

GT180P08T

MOSFET P-CH 80V 89A TO-220

diotec-semiconductor

DI030N03D1

MOSFET DPAK N 30V 0.01OHM 175C