Tillverkare Produktnummer:
GT180P08T
Product Overview
Tillverkare:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
GT180P08T-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 80V 89A TO-220
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 40 V 89A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220
Inventarier:
36 Pcs Ny Original I Lager
12944851
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
GT180P08T Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Goford Semiconductor
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
89A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6040 pF @ 40 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
245W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220
Paket / Fodral
TO-220-3
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
3141-GT180P08T
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0000
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
DI030N03D1
MOSFET DPAK N 30V 0.01OHM 175C
MMFTN3018W
MOSFET, SOT-323, 60V, 0.1A, N, 0
SI4467DYBAA005AP
MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
