G3R60MT07D
Tillverkare Produktnummer:

G3R60MT07D

Product Overview

Tillverkare:

GeneSiC Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

G3R60MT07D-DG

Beskrivning:

750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
Detaljerad beskrivning:
750 V Through Hole TO-247-3

Inventarier:

2888 Pcs Ny Original I Lager
12958893
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

G3R60MT07D Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
GeneSiC Semiconductor
Förpackning
Tube
Serie
G3R™
Produktens status
Active
FET-typ
-
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
750 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
-
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
-
rds på (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max)
+20V, -10V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
-
Drifttemperatur
-
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-3
Paket / Fodral
TO-247-3

Datablad och dokument

Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
30
Andra namn
1242-G3R60MT07D

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay-siliconix

SQJ126EP-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)

micro-commercial-components

MCU60N08-TP

MOSFET N-CH

mdd

2N7002K

MOSFET SOT-23 N Channel 60V

microchip-technology

MSC017SMA120B

MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247