MSC017SMA120B
Tillverkare Produktnummer:

MSC017SMA120B

Product Overview

Tillverkare:

Microchip Technology

DiGi Electronics Delenummer:

MSC017SMA120B-DG

Beskrivning:

MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 113A (Tc) 455W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventarier:

2 Pcs Ny Original I Lager
12958923
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

MSC017SMA120B Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Microchip Technology
Förpackning
Bulk
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
SiCFET (Silicon Carbide)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
113A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
20V
rds på (max) @ id, vgs
22mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 4.5mA (Typ)
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
249 nC @ 20 V
Vgs (max)
+22V, -10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5280 pF @ 1000 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
455W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-3
Paket / Fodral
TO-247-3
Grundläggande produktnummer
MSC017SMA

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
30
Andra namn
150-MSC017SMA120B

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095

Alternativa modeller

DELNUMMER
MSC017SMA120B4
Tillverkare
Microchip Technology
ANTAL TILLGÄNGLIGT
5
DEL NUMMER
MSC017SMA120B4-DG
ENHETSPRIS
36.55
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
genesic-semiconductor

G3R60MT07K

750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET

vishay-siliconix

SQW33N65EF-GE3

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

infineon-technologies

IPTG210N25NM3FDATMA1

TRENCH >=100V PG-HSOG-8

wolfspeed

E3M0075120K

1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET