Tillverkare Produktnummer:
GPIHV7DK
Product Overview
Tillverkare:
GaNPower
DiGi Electronics Delenummer:
GPIHV7DK-DG
Beskrivning:
GaNFET N-CH 1200V 7A TO252
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 1200 V 7A Surface Mount
Inventarier:
467 Pcs Ny Original I Lager
12976582
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
GPIHV7DK Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
GaNPower
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
GaNFET (Gallium Nitride)
Tömning till källspänning (Vdss)
1200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.7V @ 3.5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
3.1 nC @ 6 V
Vgs (max)
+7.5V, -12V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
90 pF @ 700 V
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
1
Andra namn
4025-GPIHV7DKTR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
RoHS Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
3A001
HTSUS (HTSUS)
8541.49.7000
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
IPLK60R1K0PFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 5.2A THIN-PAK
TKR74F04PB,LXGQ
MOSFET N-CH 40V 250A TO220SM
RJK5030DPD-03#J2
RJK5030DPD - N CHANNEL MOSFET
