TKR74F04PB,LXGQ
Tillverkare Produktnummer:

TKR74F04PB,LXGQ

Product Overview

Tillverkare:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Delenummer:

TKR74F04PB,LXGQ-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 40V 250A TO220SM
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 250A (Ta) 375W (Tc) Surface Mount TO-220SM(W)

Inventarier:

2284 Pcs Ny Original I Lager
12976629
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

TKR74F04PB,LXGQ Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIX-H
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
250A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
0.74mOhm @ 125A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
227 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14200 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
375W (Tc)
Drifttemperatur
175°C
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-220SM(W)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
TKR74F04

Datablad och dokument

Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
1,000
Andra namn
TKR74F04PB,LXGQ(O
264-TKR74F04PBLXGQCT
264-TKR74F04PBLXGQTR
264-TKR74F04PBLXGQDKR

Miljö- och exportklassificering

Känslighetsnivå för fukt (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
renesas-electronics-america

RJK5030DPD-03#J2

RJK5030DPD - N CHANNEL MOSFET

diotec-semiconductor

2N7002W

MOSFET SOT-323 N 60V 0.115A 13.5

renesas-electronics-america

HAT1044M-EL-E

HAT1044M-EL-E - SILICON P CHANNE

renesas-electronics-america

2SK3483-Z-AZ

2SK3483-Z-AZ - SWITCHING N-CHANN