FQPF8N90C
Tillverkare Produktnummer:

FQPF8N90C

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FQPF8N90C-DG

Beskrivning:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 900 V 6.3A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220F

Inventarier:

2796 Pcs Ny Original I Lager
12946480
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FQPF8N90C Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
QFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
900 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.3A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.9Ohm @ 3.15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2080 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
60W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220F
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack
Grundläggande produktnummer
FQPF8

Datablad och dokument

Datablad
FQPF8N90C Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
237
Andra namn
2156-FQPF8N90C
ONSFSCFQPF8N90C

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FQPF2N70

MOSFET N-CH 700V 2A TO220F

fairchild-semiconductor

FCPF9N60NT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

international-rectifier

IRF6668TRPBF

IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW

stmicroelectronics

STD20NF06T4

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK