FCPF9N60NT
Tillverkare Produktnummer:

FCPF9N60NT

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FCPF9N60NT-DG

Beskrivning:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 29.8W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventarier:

1700 Pcs Ny Original I Lager
12946482
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FCPF9N60NT Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
SuperMOS™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
385mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1240 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
29.8W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220F-3
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack

Datablad och dokument

Datablad
FCPF9N60NT Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
217
Andra namn
2156-FCPF9N60NT
ONSONSFCPF9N60NT

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
international-rectifier

IRF6668TRPBF

IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW

stmicroelectronics

STD20NF06T4

MOSFET N-CH 60V 24A DPAK

fairchild-semiconductor

FDC855N

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

fairchild-semiconductor

FQP3N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3