FDB9403L-F085
Tillverkare Produktnummer:

FDB9403L-F085

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FDB9403L-F085-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 110A (Tc) 333W (Tj) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventarier:

3408 Pcs Ny Original I Lager
12946377
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FDB9403L-F085 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
1.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
245 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
13500 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
333W (Tj)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Datablad och dokument

Datablad
FDB9403L-F085 Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
123
Andra namn
2156-FDB9403L-F085
ONSFSCFDB9403L-F085

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FDS6612A

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

fairchild-semiconductor

FDU6N50TU

MOSFET N-CH 500V 6A I-PAK

nxp-semiconductors

BUK962R6-40E,118

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

international-rectifier

AUIRLU3114Z

AUIRLU3114Z - 20V-40V N-CHANNEL