FDS6612A
Tillverkare Produktnummer:

FDS6612A

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FDS6612A-DG

Beskrivning:

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 8.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventarier:

141427 Pcs Ny Original I Lager
12946380
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FDS6612A Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
PowerTrench®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.4A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
22mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
7.6 nC @ 5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
560 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Datablad och dokument

Datablad
Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
917
Andra namn
2156-FDS6612AND
FAIFSCFDS6612A

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FDU6N50TU

MOSFET N-CH 500V 6A I-PAK

nxp-semiconductors

BUK962R6-40E,118

MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK

international-rectifier

AUIRLU3114Z

AUIRLU3114Z - 20V-40V N-CHANNEL

international-rectifier

AUIRFR8405TRL

MOSFET N-CH 40V 100A DPAK