FCPF600N60Z
Tillverkare Produktnummer:

FCPF600N60Z

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FCPF600N60Z-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220F
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 7.4A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventarier:

171833 Pcs Ny Original I Lager
12947117
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FCPF600N60Z Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
SuperFET® II
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
600mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1120 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
89W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220F-3
Paket / Fodral
TO-220-3 Full Pack

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
235
Andra namn
2156-FCPF600N60Z
ONSONSFCPF600N60Z

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
international-rectifier

AUIRF4104STRL

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

stmicroelectronics

STB30NF20

MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDMS8027S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

nxp-semiconductors

PHB18NQ10T,118

MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK