FDMS8027S

Tillverkare Produktnummer:

FDMS8027S

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FDMS8027S-DG

Beskrivning:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 30 V 18A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventarier:

18985 Pcs Ny Original I Lager

12947123

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

FDMS8027S Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Förpackning

Bulk

Serie

PowerTrench®, SyncFET™

Produktens status

Active

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

30 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

18A (Ta), 22A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

4.5V, 10V

rds på (max) @ id, vgs

5mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

31 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1815 pF @ 15 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

2.5W (Ta), 36W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

8-PQFN (5x6)

Paket / Fodral

8-PowerTDFN

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket

347

Andra namn

2156-FDMS8027S

FAIFSCFDMS8027S

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8542.39.0001

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

nxp-semiconductors

PHB18NQ10T,118

MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDFM2P110

MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET

fairchild-semiconductor

FDP7030BL

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

fairchild-semiconductor

FDP100N10

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7