FDMS8027S
Tillverkare Produktnummer:

FDMS8027S

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FDMS8027S-DG

Beskrivning:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

Inventarier:

18985 Pcs Ny Original I Lager
12947123
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FDMS8027S Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
PowerTrench®, SyncFET™
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Ta), 22A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1815 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 36W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-PQFN (5x6)
Paket / Fodral
8-PowerTDFN

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
347
Andra namn
2156-FDMS8027S
FAIFSCFDMS8027S

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8542.39.0001
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
nxp-semiconductors

PHB18NQ10T,118

MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDFM2P110

MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET

fairchild-semiconductor

FDP7030BL

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

fairchild-semiconductor

FDP100N10

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7