Tillverkare Produktnummer:
FCH110N65F-F155
Product Overview
Tillverkare:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
FCH110N65F-F155-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventarier:
69 Pcs Ny Original I Lager
12946290
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FCH110N65F-F155 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
FRFET®, SuperFET® II
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
110mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 3.5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4895 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
357W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-3
Paket / Fodral
TO-247-3
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
69
Andra namn
2156-FCH110N65F-F155
ONSFSCFCH110N65F-F155
Miljö- och exportklassificering
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
FCH041N65EFL4
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
2SJ616-TD-E
2SJ616 - P CHANNEL MOSFET
BUK965R4-40E,118
TRANSISTOR >30MHZ
