FCH110N65F-F155
Tillverkare Produktnummer:

FCH110N65F-F155

Product Overview

Tillverkare:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

FCH110N65F-F155-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 35A (Tc) 357W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventarier:

69 Pcs Ny Original I Lager
12946290
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

FCH110N65F-F155 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
FRFET®, SuperFET® II
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
110mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 3.5mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4895 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
357W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-3
Paket / Fodral
TO-247-3

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
69
Andra namn
2156-FCH110N65F-F155
ONSFSCFCH110N65F-F155

Miljö- och exportklassificering

ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
fairchild-semiconductor

FCH041N65EFL4

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

onsemi

2SJ616-TD-E

2SJ616 - P CHANNEL MOSFET

nxp-semiconductors

BUK965R4-40E,118

TRANSISTOR >30MHZ

international-rectifier

AUIRFSL8407

MOSFET N-CH 40V 195A TO262