Tillverkare Produktnummer:
FCH041N65EFL4
Product Overview
Tillverkare:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
FCH041N65EFL4-DG
Beskrivning:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 650 V 76A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventarier:
232 Pcs Ny Original I Lager
12946299
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
FCH041N65EFL4 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Förpackning
Bulk
Serie
FRFET®, SuperFET® II
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
650 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
41mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 7.6mA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
298 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
12560 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
595W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-247-4
Paket / Fodral
TO-247-4
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
30
Andra namn
2156-FCH041N65EFL4
ONSFSCFCH041N65EFL4
Miljö- och exportklassificering
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
2SJ616-TD-E
2SJ616 - P CHANNEL MOSFET
BUK965R4-40E,118
TRANSISTOR >30MHZ
AUIRFSL8407
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
