Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
DR Kongo
Argentina
Turkiet
Rumänien
Litauen
Norge
Österrike
Angola
Slovakien
Italien
Finland
Vitryssland
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Montenegro
Ryska
Belgien
Sverige
Serbien
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Moldavien
Tyskland
Nederländerna
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
Frankrike
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Portugal
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spanien
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
DMN1019UVT-7
Product Overview
Tillverkare:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Delenummer:
DMN1019UVT-7-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 12 V 10.7A (Ta) 1.73W (Ta) Surface Mount TSOT-26
Inventarier:
6295 Pcs Ny Original I Lager
12890219
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
DMN1019UVT-7 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Diodes Incorporated
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
12 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.7A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.2V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
10mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
50.4 nC @ 8 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2588 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.73W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TSOT-26
Paket / Fodral
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Grundläggande produktnummer
DMN1019
Datablad och dokument
Datablad
DMN1019UVT
Datasheets
DMN1019UVT-7
HTML-Datasheet
DMN1019UVT-7-DG
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
DMN1019UVT-7DIDKR
DMN1019UVT-7DICT
DMN1019UVT-7DITR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SSM3J143TU,LF
MOSFET P-CH 20V 5.5A UFM
SSM3K318R,LF
MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
TK4R3E06PL,S1X
MOSFET N-CH 60V 80A TO220
DMG3407SSN-7
MOSFET P-CH 30V 4A SC59