Tillverkare Produktnummer:
AOW10T60
Product Overview
Tillverkare:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics Delenummer:
AOW10T60-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CHANNEL 600V 10A TO262
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-262
Inventarier:
12845668
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
AOW10T60 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Förpackning
-
Serie
-
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
700mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1346 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
208W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
AOW10
Ytterligare information
Standard-paket
1,000
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRFSL9N60APBF
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
900
DEL NUMMER
IRFSL9N60APBF-DG
ENHETSPRIS
1.21
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
AOD522P
MOSFET N-CH 30V 17A/46A TO252
HUF75637S3S
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
FDA16N50-F109
MOSFET N-CH 500V 16.5A TO3PN
