IRFSL9N60APBF
Tillverkare Produktnummer:

IRFSL9N60APBF

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRFSL9N60APBF-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 9.2A I2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventarier:

900 Pcs Ny Original I Lager
12908830
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

IRFSL9N60APBF Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
-
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
750mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1400 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
170W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
I2PAK
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
IRFSL9

Datablad och dokument

Datablad
IRFSL9N60A, SiHFSL9N60A
Datasheets
IRFSL9N60APBF
HTML-Datasheet
IRFSL9N60APBF-DG

Ytterligare information

Standard-paket
50
Andra namn
*IRFSL9N60APBF

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay-siliconix

IRFI710G

MOSFET N-CH 400V 1.6A TO220-3

vishay-siliconix

IRFR430ATRRPBF

MOSFET N-CH 500V 5A DPAK

vishay-siliconix

IRF830LPBF

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO262-3

littelfuse

IXFH70N30Q3

MOSFET N-CH 300V 70A TO247AD