Tillverkare Produktnummer:
SUM110P04-04L-E3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SUM110P04-04L-E3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 40V 110A TO263
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 40 V 110A (Tc) 3.75W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
12214 Pcs Ny Original I Lager
13010043
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SUM110P04-04L-E3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
350 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
11200 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.75W (Ta), 375W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
SUM110
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQM40081EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO263
SIR492DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
SUM40012EL-GE3
MOSFET N-CH 40V 150A TO263
