Tillverkare Produktnummer:
SQM70060EL_GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SQM70060EL_GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 166W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
846 Pcs Ny Original I Lager
13007743
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SQM70060EL_GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
5.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5500 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
166W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
SQM70060
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIHG73N60AE-GE3
MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
SUD42N03-3M9P-GE3
MOSFET N-CH 30V 42A TO252
SIR640DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
