Tillverkare Produktnummer:
SQD100N03-3M2L_GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SQD100N03-3M2L_GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventarier:
13061590
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SQD100N03-3M2L_GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Last Time Buy
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6316 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
136W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252AA
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
SQD100
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,000
Andra namn
SQD100N03-3M2L_GE3TR
SQD100N03-3M2L_GE3DKR
SQD100N03-3M2L_GE3CT
SQD100N03-3M2L_GE3-ND
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI2343DS-T1
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
SUM60020E-GE3
MOSFET N-CH 80V 150A TO263
SUD50N06-07L-E3
MOSFET N-CH 60V 96A TO252
