Tillverkare Produktnummer:
SQ2351ES-T1_GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SQ2351ES-T1_GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 20 V 3.2A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventarier:
16267 Pcs Ny Original I Lager
13060859
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SQ2351ES-T1_GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
2.5V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
5.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±12V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
330 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundläggande produktnummer
SQ2351
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SQ2351ES-T1_GE3CT
SQ2351ES-T1_GE3TR
SQ2351ES-T1_GE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
SQ2351ES-T1_BE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
12238
DEL NUMMER
SQ2351ES-T1_BE3-DG
ENHETSPRIS
0.16
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQ3418EEV-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 8A 6TSOP
SI2305ADS-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
SI4124DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO