Tillverkare Produktnummer:
SIS407DN-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIS407DN-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 20 V 25A (Tc) 3.6W (Ta), 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventarier:
45251 Pcs Ny Original I Lager
13007433
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIS407DN-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
93.8 nC @ 8 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2760 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.6W (Ta), 33W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 1212-8
Paket / Fodral
PowerPAK® 1212-8
Grundläggande produktnummer
SIS407
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIHH11N65E-T1-GE3
MOSFET N-CH 650V 12A PPAK 8 X 8
SQS411ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8W
SIR184DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 20.7A/73A PPAK
