SIHH21N60EF-T1-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SIHH21N60EF-T1-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SIHH21N60EF-T1-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 174W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

Inventarier:

2 Pcs Ny Original I Lager
13063075
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SIHH21N60EF-T1-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
600 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
185mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2035 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
174W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 8 x 8
Paket / Fodral
8-PowerTDFN
Grundläggande produktnummer
SIHH21

Datablad och dokument

Datablad
SIHH21N60EF
Datasheets
SIHH21N60EF-T1-GE3
HTML-Datasheet
SIHH21N60EF-T1-GE3-DG

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
SIHH21N60EF-T1-GE3CT
SIHH21N60EF-T1-GE3DKR
SIHH21N60EF-T1-GE3TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterade produkter
vishay

SIHB30N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 28A TO263

vishay

SIHB24N65E-E3

MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK

vishay

SIHP20N50E-GE3

MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB

vishay

SIHH120N60E-T1-GE3

MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8