Tillverkare Produktnummer:
SIB415DK-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIB415DK-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 30V 9A PPAK SC75-6
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 30 V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
Inventarier:
13059382
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIB415DK-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
30 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
87mOhm @ 4.17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
10.05 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
295 pF @ 15 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SC-75-6
Paket / Fodral
PowerPAK® SC-75-6
Grundläggande produktnummer
SIB415
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIB415DKT1GE3
SIB415DK-T1-GE3DKR
SIB415DK-T1-GE3CT
SIB415DK-T1-GE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI7772DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
SI3483DDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP
SIDR390DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 69.9A/100A PPAK
