Tillverkare Produktnummer:
SI7430DP-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI7430DP-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 26A (Tc) 5.2W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
6014 Pcs Ny Original I Lager
13061060
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI7430DP-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
8V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
45mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1735 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
5.2W (Ta), 64W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SI7430
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SI7430DPT1GE3
SI7430DP-T1-GE3CT
SI7430DP-T1-GE3TR
SI7430DP-T1-GE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SUM110N03-04P-E3
MOSFET N-CH 30V 110A TO263
SI2304BDS-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
SQP25N15-52_GE3
MOSFET N-CH 150V 25A TO220AB
