Tillverkare Produktnummer:
SI7425DN-T1-E3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI7425DN-T1-E3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 12V 8.3A PPAK 1212-8
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 12 V 8.3A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventarier:
13058502
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI7425DN-T1-E3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Obsolete
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
12 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
16mOhm @ 12.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 300µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
1.5W (Ta)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 1212-8
Paket / Fodral
PowerPAK® 1212-8
Grundläggande produktnummer
SI7425
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI7138DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
SI1069X-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
SI7104DN-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8