SI5947DU-T1-GE3
Tillverkare Produktnummer:

SI5947DU-T1-GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SI5947DU-T1-GE3-DG

Beskrivning:

MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual

Inventarier:

13056476
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SI5947DU-T1-GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Tillverkare
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Obsolete
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 P-Channel (Dual)
FET-funktion
Logic Level Gate
Tömning till källspänning (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A
rds på (max) @ id, vgs
58mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
480pF @ 10V
Effekt - Max
10.4W
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® ChipFet Dual
Grundläggande produktnummer
SI5947

Datablad och dokument

Datablad
Datasheets
HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket
3,000
Andra namn
SI5947DU-T1-GE3TR
SI5947DUT1GE3
SI5947DU-T1-GE3CT
SI5947DU-T1-GE3DKR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
vishay

SI5902BDC-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

vishay

SI1034X-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89

vishay

SI4590DY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 100V 3.4A 8SOIC

vishay

SI4559ADY-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC