Tillverkare Produktnummer:
SI4196DY-T1-E3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI4196DY-T1-E3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 20V 8A 8SO
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventarier:
13056591
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SI4196DY-T1-E3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Emballage
Tape & Reel (TR)
Status för delar
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.8V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
27mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 8 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
830 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2W (Ta), 4.6W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Grundläggande produktnummer
SI4196
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
2,500
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI1405DL-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
SI4434DY-T1-E3
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
SI2308DS-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3
