IRF614STRR

Tillverkare Produktnummer:

IRF614STRR

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRF614STRR-DG

Beskrivning:

MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK

Detaljerad beskrivning:

N-Channel 250 V 2.7A (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventarier:

Förfrågan Online

13052924

Begära offert

Antal
Minst 1

(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar

SKICKA

IRF614STRR Tekniska specifikationer

Kategori

FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er

Tillverkare

Vishay

Förpackning

-

Serie

-

Emballage

Tape & Reel (TR)

Status för delar

Obsolete

FET-typ

N-Channel

Teknik

MOSFET (Metal Oxide)

Tömning till källspänning (Vdss)

250 V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

2.7A (Tc)

Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)

10V

rds på (max) @ id, vgs

2Ohm @ 1.6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs

8.2 nC @ 10 V

Vgs (max)

±20V

Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

140 pF @ 25 V

FET-funktion

-

Effektförlust (max)

3.1W (Ta), 36W (Tc)

Drifttemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ av montering

Surface Mount

Paket för leverantörsenhet

TO-263 (D2PAK)

Paket / Fodral

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Grundläggande produktnummer

IRF614

Datablad och dokument

Datablad

Datasheets

HTML-Datasheet

Ytterligare information

Standard-paket

800

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status

RoHS non-compliant

Känslighetsnivå för fukt (MSL)

1 (Unlimited)

REACH Status

REACH Unaffected

ECCN (ECCN)

EAR99

HTSUS (HTSUS)

8541.29.0095

DIGI Certifiering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterade produkter

vishay

IRLZ34S

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

vishay

IRFPE40PBF

MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3

vishay

IRFR310TRR

MOSFET N-CH 400V 1.7A DPAK

vishay

IRFSL31N20DTRL

MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK