Tillverkare Produktnummer:
SUP90P06-09L-E3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SUP90P06-09L-E3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 60V 90A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 60 V 90A (Tc) 2.4W (Ta), 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventarier:
3601 Pcs Ny Original I Lager
12786928
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SUP90P06-09L-E3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
9.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9200 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2.4W (Ta), 250W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
SUP90
Datablad och dokument
Datasheets
HTML-Datasheet
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
SUP90P0609LE3
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SUM90N08-4M8P-E3
MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
SQD40030E_GE3
MOSFET N-CHANNEL 40V TO252AA
SUP85N15-21-E3
MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
