Hem
Produkter
Tillverkare
Om DiGi
Kontakta oss
Bloggar & Inlägg
RFQ/Offert
Sweden
Logga in
Valfri språk
Aktuellt språk av ditt val:
Sweden
Byt:
Engelska
Europa
Storbritannien
Frankrike
Spanien
Turkiet
Moldavien
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakien
Italien
Finland
Ryska
Bulgarien
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenien
Tjeckiska
Grekiska
Kroatien
Israel
Serbien
Vitryssland
Nederländerna
Sverige
Montenegro
Baskiska
Island
Bosnien
Ungerska
Rumänien
Österrike
Belgien
Irland
Asien / Stillahavsområdet
Kina
Vietnam
Indonesien
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong (Hongkong)
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudiarabien
Qatar
Kuwait
Kambodja
Myanmar
Afrika, Indien och Mellanöstern
Förenade Arabemiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
Indien
Iran
DR Kongo
Sydafrika
Egypten
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocko
Tunisien
Sydamerika / Oceanien
Nya Zeeland
Angola
Brasilien
Moçambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australien
Nordamerika
USA
Haiti
Kanada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våra certifieringar
DiGi Introduktion
Varför DiGi
Policy
Kvalitetspolicy
Användarvillkor
RoHS-efterlevnad
Returprocess
Resurser
Produktkategorier
Tillverkare
Bloggar & Inlägg
Tjänster
Kvalitetsgaranti
Betalningssätt
Global frakt
Fraktkostnader
Vanliga frågor
Tillverkare Produktnummer:
SUP85N10-10P-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SUP85N10-10P-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 227W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventarier:
Förfrågan Online
12787171
Begära offert
Antal
Minst 1
*
Företag
*
Kontakt namn
*
Telefon
*
E-post
Leveransadress
Meddelande
(
*
) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SUP85N10-10P-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
10mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4660 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
3.75W (Ta), 227W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
SUP85
Datablad och dokument
Datablad
Packaging Information
Datasheets
SUP85N10-10P-GE3
HTML-Datasheet
SUP85N10-10P-GE3-DG
Ytterligare information
Standard-paket
500
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
FDP100N10
Tillverkare
Fairchild Semiconductor
ANTAL TILLGÄNGLIGT
2970
DEL NUMMER
FDP100N10-DG
ENHETSPRIS
1.72
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
STP100N10F7
Tillverkare
STMicroelectronics
ANTAL TILLGÄNGLIGT
88
DEL NUMMER
STP100N10F7-DG
ENHETSPRIS
1.11
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
IXTP130N10T
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IXTP130N10T-DG
ENHETSPRIS
1.59
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
PSMN009-100P,127
Tillverkare
NXP Semiconductors
ANTAL TILLGÄNGLIGT
291
DEL NUMMER
PSMN009-100P,127-DG
ENHETSPRIS
1.44
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
FDP090N10
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
12259
DEL NUMMER
FDP090N10-DG
ENHETSPRIS
1.50
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQJA06EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 57A PPAK SO-8
SIHD180N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA
SUD50P04-08-GE3
MOSFET P-CH 40V 50A TO252
SIHD6N62ET1-GE3
MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA