Tillverkare Produktnummer:
SUP50020E-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SUP50020E-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventarier:
12787061
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SUP50020E-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tube
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
7.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
2.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
128 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
375W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-220AB
Paket / Fodral
TO-220-3
Grundläggande produktnummer
SUP50020
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
50
Andra namn
SUP50020E-GE3DKRINACTIVE
SUP50020E-GE3CT
SUP50020E-GE3CT-DG
SUP50020E-GE3TR
SUP50020E-GE3TRINACTIVE
SUP50020E-GE3DKR
SUP50020E-GE3TR-DG
SUP50020E-GE3DKR-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
Not Applicable
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
FDP023N08B-F102
Tillverkare
onsemi
ANTAL TILLGÄNGLIGT
890
DEL NUMMER
FDP023N08B-F102-DG
ENHETSPRIS
1.57
Ersättnings typ
MFR Recommended
DELNUMMER
TK100E06N1,S1X
Tillverkare
Toshiba Semiconductor and Storage
ANTAL TILLGÄNGLIGT
11
DEL NUMMER
TK100E06N1,S1X-DG
ENHETSPRIS
1.09
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIHB12N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
SIHG47N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 47A TO247AC
SIHG80N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
