Tillverkare Produktnummer:
SUD50P10-43L-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SUD50P10-43L-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 100 V 37.1A (Tc) 8.3W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventarier:
4019 Pcs Ny Original I Lager
12787259
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SUD50P10-43L-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
37.1A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
43mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4600 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
8.3W (Ta), 136W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-252
Paket / Fodral
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grundläggande produktnummer
SUD50
Datablad och dokument
Produkt Ritningar
Datasheets
HTML-Datasheet
Ytterligare information
Standard-paket
2,000
Andra namn
SUD50P10-43L-GE3DKR
SUD50P10-43L-GE3TR
SUD50P10-43L-GE3CT
SUD50P10-43L-GE3-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQM50034E_GE3
MOSFET N-CH 60V 100A TO263
SIS892DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
SIR818DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
