Tillverkare Produktnummer:
SQV120N10-3M8_GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SQV120N10-3M8_GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262-3
Inventarier:
12787747
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SQV120N10-3M8_GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
-
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Obsolete
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
7230 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
250W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Through Hole
Paket för leverantörsenhet
TO-262-3
Paket / Fodral
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grundläggande produktnummer
SQV120
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
500
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIHP28N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 29A TO220AB
SQM40061EL_GE3
MOSFET P-CH 40V 100A TO263
SIHF35N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 32A TO220
