Tillverkare Produktnummer:
SQM120P10_10M1LGE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SQM120P10_10M1LGE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventarier:
12787180
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SQM120P10_10M1LGE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
10.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9000 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
375W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263 (D2PAK)
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
SQM120
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
SQM120P10_10M1LGE3-DG
SQM120P10 10M1LGE3
SQM120P10_10M1LGE3TR
SQM120P10_10M1LGE3DKR
SQM120P10_10M1LGE3CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IXFA130N10T2
Tillverkare
IXYS
ANTAL TILLGÄNGLIGT
0
DEL NUMMER
IXFA130N10T2-DG
ENHETSPRIS
2.41
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SUP90N06-5M0P-E3
MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB
SUM27N20-78-E3
MOSFET N-CH 200V 27A TO263
SIRA64DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
