Tillverkare Produktnummer:
SQM120N06-3M5L_GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SQM120N06-3M5L_GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventarier:
693 Pcs Ny Original I Lager
12916787
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SQM120N06-3M5L_GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
3.5mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
330 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14700 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
375W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
TO-263
Paket / Fodral
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grundläggande produktnummer
SQM120
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
800
Andra namn
SQM120N06-3M5L_GE3-DG
SQM120N06-3M5L_GE3TR
SQM120N06-3M5L-GE3
SQM120N06-3M5L-GE3-DG
SQM120N06-3M5L_GE3CT
SQM120N06-3M5L_GE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
IRFS3206TRRPBF
Tillverkare
Infineon Technologies
ANTAL TILLGÄNGLIGT
8293
DEL NUMMER
IRFS3206TRRPBF-DG
ENHETSPRIS
1.32
Ersättnings typ
MFR Recommended
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIHF22N60S-E3
MOSFET N-CH 600V 22A TO220
SUP85N10-10-E3
MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
SIS429DNT-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 20A PPAK1212-8
