SQJQ144AER-T1_GE3
Tillverkare Produktnummer:

SQJQ144AER-T1_GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SQJQ144AER-T1_GE3-DG

Beskrivning:

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 575A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

Inventarier:

979 Pcs Ny Original I Lager
12964204
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SQJQ144AER-T1_GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
575A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
0.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9020 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
600W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 8 x 8
Paket / Fodral
PowerPAK® 8 x 8

Datablad och dokument

Ytterligare information

Standard-paket
2,000
Andra namn
742-SQJQ144AER-T1_GE3CT
742-SQJQ144AER-T1_GE3DKR
742-SQJQ144AER-T1_GE3TR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
onsemi

NTPF125N65S3H

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE

panjit

PJC7401_R1_00001

SOT-323, MOSFET

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J374R,LXHF

SMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10

vishay-siliconix

SIR880ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8