Tillverkare Produktnummer:
SQJB90EP-T1_GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SQJB90EP-T1_GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 80V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventarier:
940 Pcs Ny Original I Lager
12787107
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SQJB90EP-T1_GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
-
Tömning till källspänning (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
rds på (max) @ id, vgs
21.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 25V
Effekt - Max
48W
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8 Dual
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8 Dual
Grundläggande produktnummer
SQJB90
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SQJB90EP-T1_GE3CT
SQJB90EP-T1_GE3DKR
SQJB90EP-T1_GE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIZ904DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 12A 6PWRPAIR
SQJQ900E-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
SI8902EDB-T2-E1
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6MICROFOOT
