Tillverkare Produktnummer:
SQJB00EP-T1_GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SQJB00EP-T1_GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 60V 30A PPAK SO8
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 60V 30A (Tc) 48W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventarier:
11417 Pcs Ny Original I Lager
12921042
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SQJB00EP-T1_GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
-
Tömning till källspänning (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
rds på (max) @ id, vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 25V
Effekt - Max
48W
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8 Dual
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8 Dual
Grundläggande produktnummer
SQJB00
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SQJB00EP-T1_GE3TR
SQJB00EP-T1_GE3DKR
SQJB00EP-T1_GE3CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI8901EDB-T2-E1
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6MICROFOOT
FDW2520C
MOSFET N/P-CH 20V 6A/4.4A 8TSSOP
ZXMN3AM832TA
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
