Tillverkare Produktnummer:
SQJ980AEP-T1_GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SQJ980AEP-T1_GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 75V 17A PPAK SO8
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 75V 17A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventarier:
3000 Pcs Ny Original I Lager
12916688
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SQJ980AEP-T1_GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
-
Tömning till källspänning (Vdss)
75V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
17A (Tc)
rds på (max) @ id, vgs
50mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
790pF @ 35V
Effekt - Max
34W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TA)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8 Dual
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8 Dual
Grundläggande produktnummer
SQJ980
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SQJ980AEP-T1_GE3CT
SQJ980AEP-T1_GE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI4388DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC
SI7216DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
SI5904DC-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
