Tillverkare Produktnummer:
SQJ446EP-T1_GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SQJ446EP-T1_GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 40 V 60A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventarier:
12787397
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SQJ446EP-T1_GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
5mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4220 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
46W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® SO-8
Paket / Fodral
PowerPAK® SO-8
Grundläggande produktnummer
SQJ446
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIR826ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
SIHB12N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
SQ2319ADS-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
