SQ4850CEY-T1_GE3
Tillverkare Produktnummer:

SQ4850CEY-T1_GE3

Product Overview

Tillverkare:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SQ4850CEY-T1_GE3-DG

Beskrivning:

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 60 V 12A (Tc) 6.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

Inventarier:

7515 Pcs Ny Original I Lager
12994041
Begära offert
Antal
Minst 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA

SQ4850CEY-T1_GE3 Tekniska specifikationer

Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
60 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
22mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1375 pF @ 25 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
6.8W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
8-SOIC
Paket / Fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Datablad och dokument

Datablad

Ytterligare information

Standard-paket
2,500
Andra namn
742-SQ4850CEY-T1_GE3CT
742-SQ4850CEY-T1_GE3TR
742-SQ4850CEY-T1_GE3DKR

Miljö- och exportklassificering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
utd-semiconductor

SI2300A

20V 6A [email protected],6A 1V@50A N CHA

nexperia

PMPB15ENEX

SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE

goford-semiconductor

G170P03D3

P-30V, -20A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-