Tillverkare Produktnummer:
SQ3419EV-T1_GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SQ3419EV-T1_GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Detaljerad beskrivning:
P-Channel 40 V 6.9A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventarier:
15924 Pcs Ny Original I Lager
12918398
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SQ3419EV-T1_GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Last Time Buy
FET-typ
P-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
40 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.9A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
58mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
11.3 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
990 pF @ 20 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
5W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
6-TSOP
Paket / Fodral
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Grundläggande produktnummer
SQ3419
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SQ3419EV-T1-GE3
SQ3419EV-T1_GE3TR
SQ3419EV-T1_GE3DKR
SQ3419EV-T1_GE3CT
SQ3419EV-T1_GE3-DG
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
SQ3419EV-T1_BE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
9835
DEL NUMMER
SQ3419EV-T1_BE3-DG
ENHETSPRIS
0.20
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SIA441DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
SQJA62EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
SI4408DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
