Tillverkare Produktnummer:
SQ2310ES-T1_BE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SQ2310ES-T1_BE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 20 V 6A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventarier:
30563 Pcs Ny Original I Lager
12939276
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SQ2310ES-T1_BE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Last Time Buy
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
20 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
1.5V, 4.5V
rds på (max) @ id, vgs
30mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±8V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
485 pF @ 10 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
2W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gradera
Automotive
Kvalifikation
AEC-Q101
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Grundläggande produktnummer
SQ2310
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
742-SQ2310ES-T1_BE3CT
742-SQ2310ES-T1_BE3DKR
742-SQ2310ES-T1_BE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
Alternativa modeller
DELNUMMER
SQ2310ES-T1_GE3
Tillverkare
Vishay Siliconix
ANTAL TILLGÄNGLIGT
1430
DEL NUMMER
SQ2310ES-T1_GE3-DG
ENHETSPRIS
0.26
Ersättnings typ
Parametric Equivalent
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
APT7F120S
MOSFET N-CH 1200V 7A D3PAK
IRFR9014TRPBF-BE3
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
NTMFS5C404NT1G
MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN
