Tillverkare Produktnummer:
SIZF928DT-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIZF928DT-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 30V 33A 8PWRPAIR
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 30V 33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc) 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Inventarier:
6074 Pcs Ny Original I Lager
12958805
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIZF928DT-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
-
Tömning till källspänning (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
33A (Ta), 88A (Tc), 61A (Ta), 248A (Tc)
rds på (max) @ id, vgs
2.45mOhm @ 10A, 10V, 750µOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Effekt - Max
3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
8-PowerWDFN
Paket för leverantörsenhet
8-PowerPair® (6x5)
Grundläggande produktnummer
SIZF928
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
742-SIZF928DT-T1-GE3TR
742-SIZF928DT-T1-GE3CT
742-SIZF928DT-T1-GE3DKR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
MCS8804-TP
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8TSSOP
F445MR12W1M1B76BPSA1
SIC 4N-CH 1200V 25A AG-EASY1B
CAB530M12BM3
SIC 2N-CH 1200V 530A MODULE
