Tillverkare Produktnummer:
SIZ926DT-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SIZ926DT-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET 2N-CH 25V 40A 8PWRPAIR
Detaljerad beskrivning:
Mosfet Array 25V 40A (Tc), 60A (Tc) 20.2W, 40W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
Inventarier:
12786316
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SIZ926DT-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, FET, MOSFET-arrayer
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Produktens status
Active
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
-
Tömning till källspänning (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
40A (Tc), 60A (Tc)
rds på (max) @ id, vgs
4.8mOhm @ 5A, 10V, 2.2mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Effekt - Max
20.2W, 40W
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket / Fodral
8-PowerWDFN
Paket för leverantörsenhet
8-PowerPair® (6x5)
Grundläggande produktnummer
SIZ926
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SIZ926DT-T1-GE3TR
SIZ926DT-T1-GE3DKR
SIZ926DT-T1-GE3CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SQ1539EH-T1_GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.85A SC70-6
SIA929DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
SIZ910DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 40A 8POWERPAIR
