Tillverkare Produktnummer:
SISS94DN-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SISS94DN-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 200V 5.4A/19.5A PPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 200 V 5.4A (Ta), 19.5A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventarier:
13141160
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SISS94DN-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
200 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.4A (Ta), 19.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
7.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
75mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
350 pF @ 100 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 1212-8S
Paket / Fodral
PowerPAK® 1212-8S
Grundläggande produktnummer
SISS94
Datablad och dokument
Datablad
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
742-SISS94DN-T1-GE3TR
742-SISS94DN-T1-GE3CT
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
R6030JNXC7G
MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM
SISS63DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
SIHP11N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 8A TO220AB
