Tillverkare Produktnummer:
SISS72DN-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SISS72DN-T1-GE3-DG
Beskrivning:
MOSFET N-CH 150V 7A/25.5A PPAK
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 150 V 7A (Ta), 25.5A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventarier:
12916904
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SISS72DN-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
150 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Ta), 25.5A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
10V
rds på (max) @ id, vgs
42mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
550 pF @ 75 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 1212-8S
Paket / Fodral
PowerPAK® 1212-8S
Grundläggande produktnummer
SISS72
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
SISS72DN-T1-GE3DKR
SISS72DN-T1-GE3CT
SISS72DN-T1-GE3TR
Miljö- och exportklassificering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH info available upon request
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
SI2366DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
SUP40010EL-GE3
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
SIHG23N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
