Tillverkare Produktnummer:
SISS5110DN-T1-GE3
Product Overview
Tillverkare:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SISS5110DN-T1-GE3-DG
Beskrivning:
N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Detaljerad beskrivning:
N-Channel 100 V 13.4A (Ta), 46.4A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Inventarier:
12996703
Begära offert
Antal
Minst 1
Minst 1
(*) är obligatoriskt
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
Vi återkommer till dig inom 24 timmar
SKICKA
SISS5110DN-T1-GE3 Tekniska specifikationer
Kategori
FET:er, MOSFET:er, Enkelt FET:er, MOSFET:er
Tillverkare
Vishay
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produktens status
Active
FET-typ
N-Channel
Teknik
MOSFET (Metal Oxide)
Tömning till källspänning (Vdss)
100 V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13.4A (Ta), 46.4A (Tc)
Drivspänning (max Rds på, Min Rds på)
7.5V, 10V
rds på (max) @ id, vgs
8.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Avgift (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max)
±25V
Ingång kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
920 pF @ 50 V
FET-funktion
-
Effektförlust (max)
4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Drifttemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ av montering
Surface Mount
Paket för leverantörsenhet
PowerPAK® 1212-8S
Paket / Fodral
PowerPAK® 1212-8S
Grundläggande produktnummer
SISS5110
Datablad och dokument
Ytterligare information
Standard-paket
3,000
Andra namn
742-SISS5110DN-T1-GE3DKR
742-SISS5110DN-T1-GE3TR
742-SISS5110DN-T1-GE3CT
Miljö- och exportklassificering
Känslighetsnivå för fukt (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (ECCN)
EAR99
HTSUS (HTSUS)
8541.29.0095
DIGI Certifiering
Relaterade produkter
PSMN070-200P,127
NEXPERIA PSMN070-200P - 35A, 200
SCT2450KEGC11
1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE
2SJ670-TD-E
2SJ670 - P-CHANNEL SILICON MOSFE
